절연 트렌치가 있는 PMUT의 설계 및 준비 방법

절연 트렌치가 있는 pmut의 설계 및 준비 방법

기술 분야

1. 본 발명은 pmut의 기술 분야, 특히 절연 트렌치를 갖는 pmut의 설계 및 제조 방법에 관한 것이다.

배경 기술:

2. MEMS 기술은 최근 수십 년 동안 개발된 마이크로 스케일 메카트로닉스 시스템 기술입니다. mems 기술을 기반으로 연구원들은 미세가공된 초음파 변환기를 설계하고 제작했습니다. 전통적인 초음파 변환기와 비교하여 소형화, 통합, 고성능 및 저비용의 장점이 있으며 초음파 변환기의 중요한 연구 방향 중 하나가되었습니다. 작동 원리에 따라 mut은 용량성 미세 가공 초음파 변환기와 압전 미세 가공 초음파 변환기로 나눌 수 있습니다. cmut는 일반적으로 높은 전송 및 수신 감도를 충족하기 위해 높은 DC 바이어스 전압을 필요로 하며, 이는 회로 설계 및 통합 및 장치 제조에 약간의 어려움을 야기합니다. cmut는 일반적으로 높은 송신 및 수신 감도를 충족시키기 위해 높은 DC 바이어스 전압을 필요로 하며, 이는 회로 설계 및 통합 및 장치 제조에 특정 어려움을 야기합니다. cmut에 비해 pmut는 고감도를 얻기 위해 고전압을 필요로 하지 않으며 기생 커패시턴스의 영향이 적고 소비 전력이 낮으며 cmos 회로와 통합하기 쉽습니다. pmut의 기본 원리는 주로 압전 효과입니다. 압전 결정이 특정 방향으로 외력을 가하여 변형되면 결정의 반대 표면에 양전하와 음전하가 생성되며 이를 양의 압전 효과라고 합니다. 결정 분극 방향으로 전기장이 가해지면 결정이 변형되고 결정이 전기장을 제거한 후 원래 모양으로 돌아갑니다. 이 현상을 역 압전 효과라고 합니다. pmut를 송신기로 사용하면 상부 전극과 하부 전극 사이의 전압이 압전층에 역압전 효과를 일으켜 고주파 진동을 발생시킨 다음 초음파를 방출합니다. 수신기로 사용하면 음압이 압전층에 작용하여 변형을 일으킵니다. 양의 압전 효과로 인해 상부 전극과 하부 전극 사이에 전기 신호가 발생합니다. pmut의 기본 구조는 일반적인 현수막 구조이며, 압전층은 상부 전극층과 하부 전극층 사이에 있으며 최하부 기판은 일반적으로 절연 기판 실리콘(silicon-on-insulator, soi)입니다. 절연층은 일반적으로 이산화규소(sio2)입니다. 작업 공정의 주요 기능은 상부 전극, 압전층, 하부 전극층 및 절연층으로 구성된 부유 필름 구조입니다.

문의하기:

Email: zhang@pride-cnc.com

전화: 플러스 86-755-23699351

몹: 플러스 8618666663894