MEMS 벡터 수중 청음기용 크로스빔 감지 구조에 대한 포스트 CMOS 릴리스 방법의 기술적 실현 요소:

기술 구현 요소:

5. 본 발명은 mems 프로세스를 사용하여 cmos와 호환된다는 전제 하에 구조 해제를 완료하는 문제를 해결하기 위해 mems 벡터 하이드로폰의 크로스 빔 감지 구조에 대한 post-cmos 해제 방법을 제공합니다.

6. 본 발명은 다음과 같은 기술적 해결책을 통해 달성된다: mems 벡터 하이드로폰을 지향하는 크로스빔 감지 구조 이후에 cmos를 방출하는 방법은 다음 단계를 포함한다: 단계 (1) 표면 불순물을 제거하기 위해 cmos 칩을 유기적으로 세정하는 단계; cmos 칩 선택, 결정 방향 "100", p-형 기판, 표면 mems 영역의 실리콘 질화물 패시베이션 층이 cmos 프로세스에서 패터닝되었습니다.

7. 단계 (2) 실리콘 질화물 패시베이션층을 마스크로 사용하여 기판 실리콘을 딥 실리콘 에칭하여 노출된 실리콘을 에칭하는 단계; 깊은 실리콘 에칭 캔

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